Código: | EEC0014 | Sigla: | ELEC1 |
Áreas Científicas | |
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Classificação | Área Científica |
OFICIAL | Electrónica e Sistemas Digitais |
Ativa? | Sim |
Unidade Responsável: | Departamento de Engenharia Eletrotécnica e de Computadores |
Curso/CE Responsável: | Mestrado Integrado em Engenharia Electrotécnica e de Computadores |
Sigla | Nº de Estudantes | Plano de Estudos | Anos Curriculares | Créditos UCN | Créditos ECTS | Horas de Contacto | Horas Totais |
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MIEEC | 323 | Plano de estudos oficial | 2 | - | 6 | 56 | 162 |
Os principais objetivos da disciplina são dotar os alunos de conhecimentos sólidos (CDIO 1.1 a 1.3) relativos a:
- Aplicação das leis e princípios fundamentais da teoria dos circuitos.
- Funcionamento de circuitos RC e resposta a ondas sinusoidais e a quadradas.
- Modelos de amplificadores lineares: ganho de tensão e corrente, resistência de entrada e de saída.
- Funcionamento da junção p-n bem como de díodos e transístores (BJT e MOS).
- Circuitos retificadores.
- Polarização e funcionamento para pequenos sinais; aproximação linear e modelos equivalentes.
- Separação do funcionamento AC e DC dos circuitos.
- Configurações Fonte (Emissor) Comum, Dreno (Colector) Comum e Porta (Base) Comum.
E, também, desenvolver aptidões pessoais e profissionais nomeadamente no tocante ao raciocínio em engenharia e resolução de problemas (CDIO 2.1, nas vertentes 2.1.1 a 2.1.4) e ser capaz de levar a cabo experimentação (CDIO 2.2) e desenvolver pensamento sistémico (CDIO 2.3).
Esta unidade curricular é a primeira no domínio de análise e conceção de circuitos eletrónicos de sinal e, consequentemente, o principal objetivo é dotar os estudantes com os conceitos e técnicas básicas neste domínio. Assim, o conteúdo programático inicia-se pelos métodos de análise de sistemas de primeira ordem, importantes para a compreensão e análise dinâmica de amplificadores, e o estudo do AmpOp como primeiro exemplo prático, procurando contextualizar o conteúdo da unidade e introduzir as ferramentas necessárias à análise dos circuitos eletrónicos. Em seguida, estudam-se os dispositivos electrónicos principais (díodos e transístores bipolares e de efeito de campo) e seus modelos de parâmetros
Análise de circuitos.
2.1. Circuitos elétricos e componentes dos circuitos elétricos
2.1.1.Leis de Kirchhoff e Resolução de circuitos
2.1.2.Impedâncias no domínio de Laplace. Associação de impedâncias
2.2. Outros teoremas dos circuitos elétricos
2.3. Redes lineares de dois portos
2.3.1.Os parâmetros hh
2.3.2.Os parâmetros yy
2.3.3.Relações entre os parâmetros hh e os parâmetros yy
2.4. Métodos de análise de circuitos lineares
3.1. Resposta no domínio da frequência: diagramas de Bode
3.1.1.Considerações gerais sobre funções de transferência
3.1.2.Traçado simplificado dos diagramas de Bode
3.1.3.Relação entre o módulo e a fase
3.2. Resposta de circuitos RC no domínio do tempo
3.2.1.O circuito RC passa-alto
3.2.2.O circuito RC passa-baixo
3.2.3.Atenuadores
4.1. Introdução: Configuração inversora e não inversora
4.2. Circuito somador
4.3. Amplificador diferenciador e amplificador integrador
4.4. Amplificador de diferença: Ganho diferencial e em modo comum
4.5. Limitações dos OpAmps
4.5.1.Ganho finito e função da frequência
4.5.2.Resistência de entrada não ideal
4.6. Outras limitações dos OpAmps
4.6.1.Limitação de valor máximo da tensão: saturação
4.6.2.Limitação de valor máximo da corrente: “slew rate”
4.7. Questões relativas a tensões e correntes contínuas
4.7.1.Corrente de entrada e desvio de corrente
4.7.2.Tensão de desvio
5.1. Dopagem do Si
5.2. A interpretação quântica e a teoria das bandas.
5.3. Deriva e Difusão de portadores
5.4. Relação de Einstein
5.5. Junção PN, em circuito aberto e inversamente polarizada
5.5.1.Capacidade da junção
5.5.2.Mecanismo de disrupção numa junção inversamente polarizada
5.6. Junção PN diretamente polarizada
5.6.1.Capacidade de difusão
6.1. Condições de condução do díodo de junção
6.1.1.Considerações sobre polarização e sinal
6.1.2.Variação dos parâmetros com a temperatura
6.1.3.Diferentes níveis de aproximação ao funcionamento dos díodos
6.2. As diversas escalas de funcionamento dos díodos de junção: Aproximação das caraterísticas em partes lineares
6.3. Retificação de meia onda e retificação filtrada
6.4. Retificador de onda completa
6.5. Díodo Zener e suas caraterísticas
6.5.1.Fontes de tensão estabilizada, usando díodos zener
6.5.2.Zener ideal e zener real
6.6. Circuitos limitadores com díodos e circuitos de recuperação do zero
6.7. Multiplicadores de tensão: O gerador Cockcroft & Walton
7.1. Introdução
7.2. O transístor de efeito de campo, de junção (JFET)
7.3. O MOSFET
7.4. Estudo do MOSFET de enriquecimento
7.4.1.Análise qualitativa e quantitativa da caraterística iD (vDS)
7.4.2.Caraterística iD (vGS) em saturação
7.4.3.Funcionamento dos MOSFET em inversão fraca (região sublimiar)
7.4.4.MOSFET canal p e MOSFET complementares (CMOS)
7.5. MOSFET de depleção
7.5.1.Modulação de comprimento de canal. Modelo do MOSFET, em saturação
7.5.2.Considerações gerais sobre polarização de MOSFET: Cálculo das tensões e correntes nos nós e ramos do circuito
7.5.3.Efeito de corpo: Modelo em π para sinal, com efeito de corpo
7.6. Circuitos básicos com MOSFET
7.6.1.Configuração em fonte comum
7.6.2.Configuração em fonte comum com resistência de fonte
7.6.3.Configuração em dreno comum
7.6.4.Configuração em porta comum
8.1. Introdução. Estrutura e princípio de funcionamento do BJT: Primeira análise do funcionamento de circuitos com transístores bipolares
8.2. Modos de funcionamento do transístor bipolar
8.2.1.Distribuição de cargas e corrente de coletor no modo ativo
8.2.2.Outros modos de funcionamento
8.2.3.Caraterísticas tensão corrente
8.2.4.Modulação da largura de base: ro
8.3. Modelo do transístor bipolar, para pequeno sinal: modelo em π e modelo em T
8.4. O parâmetro ß e os parâmetros hh
8.5. O transístor em saturação
8.6. Disrupção nos transístores BJT
8.7. Circuitos básicos com transístores bipolares de junção
8.7.1.Configuração em emissor comum
8.7.2.Configuração coletor comum
8.7.3.Configuração emissor comum com resistência de emissor
8.7.4.Configuração em base comum
Aulas Teóricas de exposição dos assuntos a tratar com exemplos práticos ilustrativos, intercaladas com aulas de demonstração de técnicas de análise e síntese de circuitos e resolução de problemas. Nas aulas teóricas visa-se mais a ilustração e aprofundamento de conhecimentos do que a exposição exaustiva de toda a matéria. Os conhecimentos relevantes para a disciplina correspondem ao que está descrito nos "Apontamentos de Eletrónica" a disponibilizar no moodle, eventualmente complementados com “Microelectronic Circuits” de A. Sedra & K. Smith.
Nas aulas de Prática Laboratorial será levado a cabo um conjunto de trabalhos com os componentes básicos e a sua aplicação em circuitos, sua montagem e teste. Os guiões serão disponibilizados previamente, na página Moodle da disciplina. Cada trabalho terá sempre 4 componentes:
1. Uma parte expositiva associada à matéria do trabalho,
2. Uma parte de trabalho autónomo, em tempo e espaço previsto nos horários, durante o qual os alunos desenvolverão o trabalho que lhes está destinado com acompanhamento de um técnico,
3. Uma parte, na aula seguinte, durante o qual os alunos demonstrarão o trabalho ao professor e tirarão as dúvidas ou dificuldades que tiveram no seu desenvolvimento,
4. Resposta a uma questão ou problema diretamente relacionado com o trabalho efetuado.
Normalmente, nas aulas acompanhadas por professores, a ordem será 3, 4, 1, sendo esta última dedicada ao trabalho seguinte.
Designação | Peso (%) |
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Exame | 50,00 |
Teste | 20,00 |
Trabalho laboratorial | 30,00 |
Total: | 100,00 |
Designação | Tempo (Horas) |
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Estudo autónomo | 76,50 |
Frequência das aulas | 54,00 |
Trabalho laboratorial | 26,00 |
Total: | 156,50 |
A frequência da componente laboratorial é obrigatória e sujeita à legislação no tocante ao número máximo de faltas admissível.
A justificação de uma falta não a elimina da contagem para efeito de aproveitamento, devendo os alunos repetir os trabalhos respetivos numa outra aula ou em tempo extra curricular, desde que autorizado pelo docente e acompanhado pelo técnico responsável pelos laboratórios.
O acesso ao exame final exige um mínimo de 8 valores (em 20) na componente laboratorial.
1. Para os alunos ordinários em primeira inscrição:
- componente laboratorial: 30%
- cada miniteste (dois): 10%
- exame final: 50%.
2. Para os alunos ordinários em primeira inscrição que tenham faltado a um miniteste com uma justificação aceite pelo docente responsável pela disciplina, a percentagem desse miniteste é adicionada ao exame final.
3. Para os alunos em regime especial ou os alunos ordinários que já tenham obtido frequência à disciplina e não tenham solicitado expressamente o acesso aos minitestes:
- componente laboratorial (já adquirida): 30%
- exame final: 70%.
Em qualquer caso, a nota da componente laboratorial (numa escala de 0 a 20) é limitada à classificação do exame final mais 4 valores.
Não se aplica.
1. A componente laboratorial é obrigatória para todos os alunos, podendo o caso dos trabalhadores estudantes e outros alunos de regime especial ser objecto de análise específica com vista a garantir lugar numa turma em horário adequado
2. Alunos em regime especial estão dispensados de realizar os minitestes, podendo, contudo, requerer que o façam
3. Os pesos das várias componentes são os indicados atrás:
- componente laboratorial: 30%
- cada miniteste: 10%
- exame final: entre 50% ou 70%, consoante façam ou não minitestes.
Em qualquer caso, a nota da componente laboratorial é limitada à classificação do exame final mais 4 valores (em 20).
Em qualquer caso, a nota da componente laboratorial é limitada à classificação do exame final mais 4 valores (em 20).
Nota: Situações omissas serão analisadas caso a caso.