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Raman study of stress effect on Ge nanocrystals embedded in Al2O3

Título
Raman study of stress effect on Ge nanocrystals embedded in Al2O3
Tipo
Artigo em Revista Científica Internacional
Ano
2010
Autores
Pinto, SRC
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Rolo, AG
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Ver página do Authenticus Sem ORCID
Chahboun, A
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Ver página do Authenticus Sem ORCID
Kashtiban, RJ
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Bangert, U
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Gomes, MJM
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Ver página do Authenticus Sem ORCID
Revista
Título: Thin Solid FilmsImportada do Authenticus Pesquisar Publicações da Revista
Vol. 518
Páginas: 5378-5381
ISSN: 0040-6090
Editora: Elsevier
Outras Informações
ID Authenticus: P-003-4Q0
Abstract (EN): Ge nanocrystals (NCs) embedded in Al2O3 were grown by RF-sputtering. X-ray diffraction, high resolution transmission electron microscopy, and Raman spectroscopy techniques were used to characterize the stresses on the NCs. While small NCs (<10 nm) have been observed to be spherical and fully relaxed in the matrix, the larger ones (>17 nm) demonstrated a compressive stress effect. This could be linked to the crystal structure of the adjacent Al2O3 matrix.
Idioma: Inglês
Tipo (Avaliação Docente): Científica
Nº de páginas: 4
Documentos
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