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Probing the exciton density of states in semiconductor nanocrystals using integrated photoluminescence spectroscopy

Título
Probing the exciton density of states in semiconductor nanocrystals using integrated photoluminescence spectroscopy
Tipo
Artigo em Revista Científica Internacional
Ano
2002
Autores
Filonovich, SA
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Ver página do Authenticus Sem ORCID
Rakovich, YP
(Autor)
Outra
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Vasilevskiy, MI
(Autor)
Outra
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Artemyev, MV
(Autor)
Outra
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Talapin, DV
(Autor)
Outra
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Rogach, AL
(Autor)
Outra
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Rolo, AG
(Autor)
Outra
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Gomes, MJM
(Autor)
Outra
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Revista
A Revista está pendente de validação pelos Serviços Administrativos.
Vol. 133
Páginas: 909-918
ISSN: 0026-9247
Outras Informações
ID Authenticus: P-000-P88
Abstract (EN): We present the results of a comparative analysis of the absorption and photoluminescence excitation (PLE) spectra vs. integrated photoluminescence (IPL) measured as a function of the excitation wavelength for a number of samples containing II-VI semiconductor nanocrystals (NCs) produced by different techniques. The structure of the absorption and PL spectra due to excitons confined in NCs and difficulties with the correct interpretation of the transmittance and PLE results are discussed. It is shown that, compared to the conventional PLE, the IPL intensity plotted against the excitation wavelength (EPLE spectra) reproduce better the structure of the absorption spectra. Therefore, IPLE spectroscopy can be successfully used for probing the quantized electron-hole (e-h) transitions in semiconductor nanocrystals.
Idioma: Inglês
Tipo (Avaliação Docente): Científica
Nº de páginas: 10
Documentos
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