Semicondutores e Dispositivos

Código:

F416

Sigla:

F416

Áreas Científicas
Classificação	Área Científica
OFICIAL	Física

Ocorrência: 2013/2014 - 2S

Ativa?	Sim
Página Web:	https://moodle.up.pt/course/view.php?id=250
Unidade Responsável:	Departamento de Física e Astronomia
Curso/CE Responsável:	Mestrado Integrado em Engenharia Física

Ciclos de Estudo/Cursos

Sigla	Nº de Estudantes	Plano de Estudos	Anos Curriculares	Créditos UCN	Créditos ECTS	Horas de Contacto	Horas Totais
M:F	5	Plano de Estudos do Mestrado em Física	1	-	5	-
MI:EF	8	Plano de Estudos a partir de 2007	4	-	5	-

Língua de trabalho

Português - Suitable for English-speaking students

Objetivos

Compreender:
i) os princípios físicos dos semicondutores e seus processos de condução;
ii) os princípios físicos dos dispositivos semicondutores e a sua tecnologia de fabrico;
iii) aspetos teóricos e práticos dos principais passos na fabricação de dispositivos semicondutores.

Resultados de aprendizagem e competências

Após conclusão da UC com aproveitamento, os estudantes deverão ser capazes de:

- descrever as estruturas de bandas dos semicondutores mais importantes.

- aplicar métodos estatísticos para descrever a estatística dos portadores de carga e o transporte eletrónico em semicondutores cristalinos.

- compreender os princípios e propriedades de junções pn.

- compreender os princípios básicos do funcionamento dos transístores de junção unipolar e bipolar e de efeito de campo (FET, NFET PFET, e MOSFET).

- compreender os princípios de fabricação de dispositivos semicondutores e suas aplicações.

Modo de trabalho

B-learning

Programa

Física dos semicondutores.
Bandas de energia e concentração de portadores de carga.
Fenómenos de transporte dos portadores de carga.
Semicondutores intrínsecos e extrínsecos.
Semicondutores degenerados e não degenerados.
Díodos. Junção p-n.
Dispositivos unipolares e bipolares.
Transístores. FET, NFET e PFET.
MOSFET.
Processos de crescimento de monocristais: “Czochralski” e "float zone".
Os processos de "cleaning, texturing and etching"
Aplicações.

Bibliografia Obrigatória

000086466. ISBN: 0-521-48491-X
000009683. ISBN: 0-13-806265-X
Betty Lise Anderson, Richard L. Anderson; Fundamentals of Semiconductor Devices, McGraw-Hill, 2005

Bibliografia Complementar

000003386. ISBN: 0-13-806299-4

Métodos de ensino e atividades de aprendizagem

Blended-learning.

O ensino será feito de modo continuado. Isto implicará o compromisso de haver uma frequência responsável por parte dos estudantes.

Ter-se-á em conta que a aprendizagem implica trabalho e assistência participada de todos os interessados no ganho de competências. Dar-se-á particular ênfase ao interesse do estudante em trabalhar durante todo o semestre.

Em complemento às aulas teórico-práticas (TP), de natureza presencial, serão disponibilizados conteúdos didáticos na Plataforma Moodle da UP.

Palavras Chave

Ciências Físicas > Física

Tipo de avaliação

Avaliação por exame final

Componentes de Avaliação

Designação	Peso (%)
Exame	100,00
Total:	100,00

Obtenção de frequência

 

O estudante deverá comparecer a pelo menos 3/4 do número de aulas teórico-práticas (TP) previstas.

Fórmula de cálculo da classificação final

A classificação final (CF) será obtida:

 

CF = EF

 

EF – nota do exame escrito

 

 

Se EF ≥ 8.0 o estudante poderá requerer oral, no prazo estipulado para o efeito.

O estudante será aprovado se CF ≥ 9.5 valores.

Melhoria de classificação

Na época de recurso.  

Observações

Eventuais omissões e/ou dúvidas quanto à presente ficha serão esclarecidas pelo regente da unidade curricular.

Ao júri reserva-se o direito de chamar qualquer estudante para a prestação de uma prova complementar escrita/oral.