Biased bilayer graphene: Semiconductor with a gap tunable by the electric field effect

• Tipo: Artigo em Revista Científica Internacional
• Data: 2007

Autores

Eduardo V Castro (Autor) Outra; Novoselov, KS (Autor) Outra; Morozov, SV (Autor) Outra; Peres, NMR (Autor) Outra; Lopes M B L Dos Santos (Autor) FCUP; Johan Nilsson (Autor) Outra; Guinea, F (Autor) Outra; Geim, AK (Autor) Outra; Castro Neto, AH (Autor) Outra

Revista

Título: Physical Review Letters

Vol. 99

ISSN: 0031-9007

Editora: American Physical Society

Indexação

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Classificação Científica

FOS: Ciências exactas e naturais > Física

Outras Informações

ID Authenticus: P-004-689

DOI: 10.1103/physrevlett.99.216802

Abstract (EN): We demonstrate that the electronic gap of a graphene bilayer can be controlled externally by applying a gate bias. From the magnetotransport data (Shubnikov-de Haas measurements of the cyclotron mass), and using a tight-binding model, we extract the value of the gap as a function of the electronic density. We show that the gap can be changed from zero to midinfrared energies by using fields of less than or similar to 1 V/nm, below the electric breakdown of SiO2. The opening of a gap is clearly seen in the quantum Hall regime.

Idioma: Inglês

Tipo (Avaliação Docente): Científica

Nº de páginas: 4