Er-O clustering and its influence on the lattice sites of Er in Si

• Tipo: Artigo em Revista Científica Internacional
• Data: 1999

Autores

Wahl, Ulrich (Autor) Outra; Correia, J. G. (Autor) Outra; Araújo, João Pedro (Autor) Outra; Vantomme, André (Autor) Outra; Langouche, Guido (Autor) Outra

Revista

Título: Physica B: Condensed Matter

Vol. 273-4

Páginas: 342-345

ISSN: 0921-4526

Editora: Elsevier

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Outras Informações

ID Authenticus: P-001-2RP

DOI: 10.1016/s0921-4526(99)00472-x

Abstract (EN): We present emission channeling experiments on the lattice location of Er in CZ Si single crystals with a well-defined O concentration of 6.5-6.6 x 10(17) cm(-3) and 60 keV-implanted Tm + Er doses ranging from 4.3 x 10(12) to 3.6 x 10(13) cm(-2). The experimental results are compared with the predictions of a simulator which models the formation of Er(n)O(m) clusters on the basis of simple diffusion and capture kinetics. We find that our experimental data compare favorably with a scenario where the formation of Er(n) O(m) defects with one or more O atoms is responsible for removing the Er atoms from their tetrahedral interstitial (T) sites. This suggests that Er does no longer occupy the T site even in simple (ErO) pairs.

Idioma: Inglês

Tipo (Avaliação Docente): Científica

Nº de páginas: 4