Emission channeling studies of Pr in GaN

• Tipo: Artigo em Revista Científica Internacional
• Data: 2000

Autores

Wahl, Ulrich (Autor) Outra; Vantomme, André (Autor) Outra; Langouche, Guido (Autor) Outra; Araújo, João Pedro (Autor) Outra; Peralta, Luís (Autor) Outra; Correia, J. G. (Autor) Outra

Revista

Título: Journal of Applied Physics

Vol. 88

Páginas: 1319-1324

ISSN: 0021-8979

Editora: American Institute of Physics

Indexação

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Outras Informações

ID Authenticus: P-000-ZCE

DOI: 10.1063/1.373820

Abstract (EN): We report on the lattice location of Pr in thin film, single-crystalline hexagonal GaN using the emission channeling technique. The angular distribution of beta(-) particles emitted by the radioactive isotope Pr-143 was monitored by a position-sensitive electron detector following 60 keV room temperature implantation of the precursor isotope Cs-143 at a dose of 1x10(13) cm(-2) and annealing up to 900 degrees C. Our experiments provide direct evidence that Pr is thermally stable at substitutional Ga sites. (C) 2000 American Institute of Physics. [S0021-8979(00)03115-7].

Idioma: Inglês

Tipo (Avaliação Docente): Científica

Nº de páginas: 6