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Surface Plasmon Resonance-Coupled Photoluminescence and Resistive Switching Behavior of Pulsed Laser-Deposited Ag:SiC Nanocermet Thin Films

Título
Surface Plasmon Resonance-Coupled Photoluminescence and Resistive Switching Behavior of Pulsed Laser-Deposited Ag:SiC Nanocermet Thin Films
Tipo
Artigo em Revista Científica Internacional
Ano
2015
Autores
Kamakshi, K
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Sekhar, KC
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Almeida, A
(Autor)
FCUP
Ver página pessoal Sem permissões para visualizar e-mail institucional Pesquisar Publicações do Participante Ver página do Authenticus Sem ORCID
Moreira, JA
(Autor)
FCUP
Gomes, MJM
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Revista
Título: PlasmonicsImportada do Authenticus Pesquisar Publicações da Revista
Vol. 10
Páginas: 1211-1217
ISSN: 1557-1955
Editora: Springer Nature
Outras Informações
ID Authenticus: P-00G-29T
Abstract (EN): In this study, Ag:SiC nanocermets were prepared via rapid thermal annealing (RTA) of pulsed laser-deposited SiC/Ag/SiC trilayers grown on Si substrate. Atomic force microscope images show that silver nanoparticles (Ag NPs) are formed after RTA, and the size of NPs increases with increasing Ag deposition time (t (Ag)). Sharp dip observed in the reflectance spectra confirmed the existence of Ag surface plasmons (SPs). The infrared transmission spectra showed an intense and broad absorption band around 780-800 cm(-1) that can be assigned to Si-C stretching vibration mode. Influence of t (Ag) on the spectral characteristics of SP-enhanced photoluminescence (PL) and electrical properties of silicon carbide (SiC) films has been investigated. The maximum PL enhancement by 5.5 times for Ag:SiC nanocermets is achieved when t (Ag) a parts per thousand aEuro parts per thousand 50 s. This enhancement is due to the strong resonant coupling between SiC and the SP oscillations of the Ag NPs. Presence of Ag NPs in SiC also induces a forming-free resistive switching with switching ratio of 2 x 10(-2). The analysis of I-V curves demonstrates that the trap-controlled space-charge-limited conduction with filamentary model is the governing mechanism for the resistive switching in nanocerment thin films.
Idioma: Inglês
Tipo (Avaliação Docente): Científica
Nº de páginas: 7
Documentos
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