Resumo (PT):
Num domínio em permanente evolução como o dos semicondutores rápidos de potência, os critérios de selecção alteram-se constantemente. A
situação actual das tecnologias GTO e BJT é comparada nos aspectos fundamentais: Circuito de comando, protecções, rendimento, custo,
estado de desenvolvimento. Um estudo tendente a seleccionar a tecnologia a utilizar na concepção da ponte inversora de um protótipo de 20
kVA de uma fonte de alimentação não interrompível é descrito
Idioma:
Português
Tipo (Avaliação Docente):
Científica