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Publicações

Induced polarized state in intentionally grown oxygen deficient KTaO3 thin films

Título
Induced polarized state in intentionally grown oxygen deficient KTaO3 thin films
Tipo
Artigo em Revista Científica Internacional
Ano
2013
Autores
Mota, DA
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Romaguera Barcelay, Y
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Tkach, A
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Perez de la Cruz, JP
(Autor)
REIT
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Vilarinho, PM
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Ver página do Authenticus Sem ORCID
Tavares, PB
(Autor)
Outra
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Agostinho Moreira, JA
(Autor)
FCUP
Almeida, A
(Autor)
FCUP
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Revista
Vol. 114
Página Final: 034101
ISSN: 0021-8979
Classificação Científica
FOS: Ciências exactas e naturais > Física
Outras Informações
ID Authenticus: P-006-94B
Abstract (EN): Deliberately oxygen deficient potassium tantalate thin films were grown by RF magnetron sputtering on Si/SiO2/Ti/Pt substrates. Once they were structurally characterized, the effect of oxygen vacancies on their electric properties was addressed by measuring leakage currents, dielectric constant, electric polarization, and thermally stimulated depolarization currents. By using K2O rich KTaO3 targets and specific deposition conditions, KTaO3-delta oxygen deficient thin films with a K/Ta = 1 ratio were obtained. Room temperature X-ray diffraction patterns show that KTaO3-delta thin films are under a compressive strain of 2.3% relative to KTaO3 crystals. Leakage current results reveal the presence of a conductive mechanism, following the Poole-Frenkel formalism. Furthermore, dielectric, polarization, and depolarization current measurements yield the existence of a polarized state below T-pol similar to 367 degrees C. A Cole-Cole dipolar relaxation was also ascertained apparently due to oxygen vacancies induced dipoles. After thermal annealing the films in an oxygen atmosphere at a temperature above T-pol, the aforementioned polarized state is suppressed, associated with a drastic oxygen vacancies reduction emerging from annealing process. (C) 2013 AIP Publishing LLC.
Idioma: Inglês
Tipo (Avaliação Docente): Científica
Contacto: amalmeid@fc.up.pt
Nº de páginas: 8
Documentos
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