Coulomb drag and high-resistivity behavior in double-layer graphene

• Tipo: Artigo em Revista Científica Internacional
• Data: 2011

Autores

Peres, NMR (Autor) Outra; Lopes dos Santos, JMBL (Autor) FCUP; Castro Neto, AH (Autor) Outra

Revista

Título: Europhysics Letters

Vol. 95

Página Final: 18001

ISSN: 0295-5075

Editora: Institute of Physics Publishing

Indexação

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Classificação Científica

FOS: Ciências exactas e naturais > Física

Outras Informações

ID Authenticus: P-002-Q69

DOI: 10.1209/0295-5075/95/18001

Abstract (EN): We show that Coulomb drag in ultra-clean graphene double layers can be used for controlling the on-and-off ratio for current flow by tuning the external gate voltage. Hence, although graphene remains semi-metallic, the double-layer graphene system can be tuned from conductive to a highly resistive state. We show that our results explain previous data of Coulomb drag in double-layer graphene samples in disordered SiO2 substrates. Copyright (C) EPLA, 2011

Idioma: Inglês

Tipo (Avaliação Docente): Científica

Nº de páginas: 6