Graphene bilayer with a twist: Electronic structure

• Tipo: Artigo em Revista Científica Internacional
• Data: 2007

Autores

Lopes M B L dos Santos (Autor) FCUP; Peres, NMR (Autor) Outra; Castro Neto, AH (Autor) Outra

Revista

Título: Physical Review Letters

Vol. 99

ISSN: 0031-9007

Editora: American Physical Society

Indexação

ISI Web of Knowledge - 940 Citações

Scopus - 1064 Citações

Classificação Científica

FOS: Ciências exactas e naturais > Física

Outras Informações

ID Authenticus: P-004-5QG

DOI: 10.1103/physrevlett.99.256802

Abstract (EN): We consider a graphene bilayer with a relative small angle rotation between the layers - a stacking defect often seen in the surface of graphite - and calculate the electronic structure near zero energy in a continuum approximation. Contrary to what happens in an AB stacked bilayer and in accord with observations in epitaxial graphene, we find: (a) the low energy dispersion is linear, as in a single layer, but the Fermi velocity can be significantly smaller than the single-layer value; (b) an external electric field, perpendicular to the layers, does not open an electronic gap.

Idioma: Inglês

Tipo (Avaliação Docente): Científica

Nº de páginas: 4