Emission channeling studies of implanted Er-167m in InP

• Tipo: Artigo em Revista Científica Internacional
• Data: 2001

Autores

Wahl, Ulrich (Autor) Outra; Vantomme, André (Autor) Outra; Langouche, Guido (Autor) Outra; Araújo, João Pedro (Autor) Outra

Revista

Título: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

Vol. 175

Páginas: 262-267

ISSN: 0168-583X

Editora: Elsevier

Indexação

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Outras Informações

ID Authenticus: P-000-W11

DOI: 10.1016/s0168-583x(00)00531-0

Abstract (EN): We have used conversion electron emission channeling to determine the lattice location of Er-167 (t(1/2) = 2.28 s) in TnP after 60 keV room temperature implantation of Tm-167 (t(1/2) = 9.25 d) at a dose of 6.8 x 10(12) cm(-2). Following annealing at temperatures above the major recovery step of the implantation damage at 100-150 degreesC, we observe around 75% of Er on substitutional In sites. A smaller fraction of Er (6%) is found on substitutional P sites, the remainder on random sites. Annealing the unprotected InP crystal at temperatures above 250 degreesC in vacuum causes a decrease in the channeling effects.

Idioma: Inglês

Tipo (Avaliação Docente): Científica

Nº de páginas: 6