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Amphoteric arsenic in GaN

Título
Amphoteric arsenic in GaN
Tipo
Artigo em Revista Científica Internacional
Ano
2007
Autores
wahl, u.
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
correia, j. g.
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
araujo, j. p.
(Autor)
FCUP
Ver página pessoal Sem permissões para visualizar e-mail institucional Pesquisar Publicações do Participante Ver página do Authenticus Sem ORCID
rita, e.
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
soares, j. c.
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Revista
Vol. 90
Página Final: 181934
ISSN: 0003-6951
Outras Informações
ID Authenticus: P-004-AJ7
Abstract (EN): The authors have determined the lattice location of implanted arsenic in GaN by means of conversion electron emission channeling from radioactive As-73. They give direct evidence that As is an amphoteric impurity, thus settling the long-standing question as to whether it prefers cation or anion sites in GaN. The amphoteric character of As and the fact that As-Ga "antisites" are not minority defects provide additional aspects to be taken into account for an explanantion of the so-called miscibility gap in ternary GaAs1-xNx compounds, which cannot be grown with a single phase for values of x in the range of 0.1 < x < 0.99. (C) 2007 American Institute of Physics.
Idioma: Inglês
Tipo (Avaliação Docente): Científica
Contacto: uwahl@itn.pt
Nº de páginas: 3
Documentos
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