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Publicações

Electrode band structure effects in thin MgO magnetic tunnel junctions

Título
Electrode band structure effects in thin MgO magnetic tunnel junctions
Tipo
Artigo em Revista Científica Internacional
Ano
2012
Autores
teixeira, j. m.
(Autor)
FCUP
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ventura, j.
(Autor)
FCUP
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fernandez-garcia, m. p.
(Autor)
FCUP
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araujo, j. p.
(Autor)
FCUP
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sousa, j. b.
(Autor)
Outra
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wisniowski, p.
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
freitas, p. p.
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Revista
Vol. 100
Página Final: 072406
ISSN: 0003-6951
Outras Informações
ID Authenticus: P-002-D2A
Abstract (EN): In this study, we demonstrate that, beyond the standard magnon excitations, the electronic band structure of the electrodes plays a significant role on the low bias voltage window (0 < vertical bar V vertical bar < 0.4 V) of the tunnel magnetoresistance (TMR) in thin MgO-CoFeB junctions. The tunneling conductance in the parallel state presents a minimum at about +/- 0.35 and +/- 0.3V for the negative and positive bias, respectively. The presence of this minimum indicates a related decrease in the TMR(V). These observations are explained by the electronic band structures of bcc-Fe and Co. (C) 2012 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3687200]
Idioma: Inglês
Tipo (Avaliação Docente): Científica
Contacto: jmteixeira@fc.up.pt
Nº de páginas: 3
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