A new OMCVD iridium precursor for thin film deposition

• Tipo: Artigo em Revista Científica Internacional
• Data: 2001

Autores

Serp, P (Autor) Outra; Feurer, R (Autor) Outra; Kalck, P (Autor) Outra; Gomes, H (Autor) Outra; Faria, JL (Autor) FEUP; Figueiredo, JL (Autor) FEUP

Revista

Título: Chemical Vapour Deposition

Vol. 7

Páginas: 59-62

ISSN: 0948-1907

Editora: John Wiley & Sons

Indexação

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COMPENDEX

Classificação Científica

FOS: Ciências da engenharia e tecnologias > Engenharia dos materiais

Outras Informações

ID Authenticus: P-000-W6R

DOI: 10.1002/1521-3862(200103)7:2<59::aid-cvde59>3.0.co;2-s

Abstract (EN): A new one step synthesis of a volatile iridium OMCVD precursor with 60 % yield is described. Using the precursor [Ir(-SC(CH3)3)(CO)2]2 (see Figure), it is possible to obtain iridium of high purity. TGA/DTA analyses indicate that the precursor melts at 128 °C and starts to decompose at 160 °C. SEM analysis reveals that films deposited above 300 °C have a lamellar morphology while nodular morphology was obtained below 250 °C.

Idioma: Inglês

Tipo (Avaliação Docente): Científica

Nº de páginas: 4