Extraction of semiconductor intrinsic laser parameters by intermodulation distortion analysis

• Tipo: Artigo em Revista Científica Internacional
• Data: 1997

Autores

H. M. Salgado (Autor) FEUP; J. M. Ferreira (Autor) Outra; J. J. O'Reilly (Autor) Outra

Revista

Título: IEEE Photonics Technology Letters

Vol. 9 Nº 10

Páginas: 1331-1333

ISSN: 1041-1135

Editora: IEEE

Indexação

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Classificação Científica

FOS: Ciências da engenharia e tecnologias > Engenharia electrotécnica, electrónica e informática

CORDIS: Ciências Tecnológicas > Engenharia > Engenharia de comunicações > Engenharia de telecomunicações

Outras Informações

ID Authenticus: P-001-AJY

DOI: 10.1109/68.623253

Abstract (EN): A new technique is described for the extraction of the intrinsic semiconductor laser parameters from intermodulation measurements of composite second-order (CSO) and composite third-order (CTB) distortion products. The effect of the parasitics elements are eliminated, by taking the distortion measurements at constant optical modulation depth, which enables one to obtain the laser parameters on packaged laser diodes. An optimization algorithm is then described that extracts the relevant laser parameters from the distortion data. This method was applied to a commercially available packaged laser diode and very good agreement was obtained between the measured and theoretical results.

Idioma: Inglês

Tipo (Avaliação Docente): Científica

Nº de páginas: 3