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In situ characterization of the p-Si/NH4F interface during dissolution in the current oscillation regime

Título
In situ characterization of the p-Si/NH4F interface during dissolution in the current oscillation regime
Tipo
Artigo em Revista Científica Internacional
Ano
1998
Autores
S.Cattarin
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
J.N.Chazalviel
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Carlos Fonseca
(Autor)
FEUP
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F.Ozanam
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
L.M.Peter
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
G. Schlichthorl
(Autor)
Outra
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J.Stumper
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Revista
Páginas: 498-502
ISSN: 0013-4651
Indexação
Publicação em ISI Web of Science ISI Web of Science
Classificação Científica
FOS: Ciências da engenharia e tecnologias > Outras ciências da engenharia e tecnologias
Outras Informações
Idioma: Português
Tipo (Avaliação Docente): Científica
Documentos
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