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Characterization of Nb-doped PZT (65/35/1) ferroelectric thin films deposited by pulsed laser ablation

Título
Characterization of Nb-doped PZT (65/35/1) ferroelectric thin films deposited by pulsed laser ablation
Tipo
Artigo em Revista Científica Internacional
Ano
2008
Autores
Pereira, M
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Ver página do Authenticus Sem ORCID
Boerasu, I
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Gomes, MJM
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Ver página do Authenticus Sem ORCID
Revista
Título: VacuumImportada do Authenticus Pesquisar Publicações da Revista
Vol. 82
Páginas: 1379-1382
ISSN: 0042-207X
Editora: Elsevier
Outras Informações
ID Authenticus: P-003-X29
Abstract (EN): Using ceramic targets prepared by conventional way, based on the composition Pb-0.995(Zr0.65Ti0.35)(0.99)Nb0.01O3 + 4% mole PbO excess (PZTN), several ferroelectric films were deposited by pulsed laser ablation (PLA) technique on Pt (111) coated Si and MgO (100) substrates, using XeCl (308 nm) excimer laser. X-ray diffraction is used to characterize the produced perovskite phase (rhombohedral phase) as well as to evaluate the secondary phases and to describe the structural changes during annealing. The optical characteristics are measured in the UV-vis-near IR region. Also, ferroelectric hysteresis behaviour has been characterized by CV measurements.
Idioma: Inglês
Tipo (Avaliação Docente): Científica
Nº de páginas: 4
Documentos
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