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Electronic properties of a biased graphene bilayer

Título
Electronic properties of a biased graphene bilayer
Tipo
Artigo em Revista Científica Internacional
Ano
2010
Autores
Novoselov, KS
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Morozov, SV
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Peres, NMR
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Ver página do Authenticus Sem ORCID
Lopes dos Santos, JMBL
(Autor)
FCUP
Ver página pessoal Sem permissões para visualizar e-mail institucional Pesquisar Publicações do Participante Ver página do Authenticus Sem ORCID
Johan Nilsson
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Guinea, F
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Geim, AK
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Castro Neto, AH
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Revista
Vol. 22
Página Final: 175503
ISSN: 0953-8984
Classificação Científica
FOS: Ciências exactas e naturais > Física
Outras Informações
ID Authenticus: P-003-6SE
Abstract (EN): We study, within the tight-binding approximation, the electronic properties of a graphene bilayer in the presence of an external electric field applied perpendicular to the system-a biased bilayer. The effect of the perpendicular electric field is included through a parallel plate capacitor model, with screening correction at the Hartree level. The full tight-binding description is compared with its four-band and two-band continuum approximations, and the four-band model is shown to always be a suitable approximation for the conditions realized in experiments. The model is applied to real biased bilayer devices, made out of either SiC or exfoliated graphene, and good agreement with experimental results is found, indicating that the model is capturing the key ingredients, and that a finite gap is effectively being controlled externally. Analysis of experimental results regarding the electrical noise and cyclotron resonance further suggests that the model can be seen as a good starting point for understanding the electronic properties of graphene bilayer. Also, we study the effect of electron-hole asymmetry terms, such as the second-nearest-neighbour hopping energies t' (in-plane) and gamma(4) (inter-layer), and the on-site energy Delta.
Idioma: Inglês
Tipo (Avaliação Docente): Científica
Nº de páginas: 14
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