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Bonding gamma-TiAl alloys using Ti/Al nanolayers doped with Ag

Título
Bonding gamma-TiAl alloys using Ti/Al nanolayers doped with Ag
Tipo
Artigo em Livro de Atas de Conferência Internacional
Ano
2008
Autores
Duarte, LI
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Ramos, AS
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Ver página do Authenticus Sem ORCID
Vieira, MT
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Klotz, UE
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Ata de Conferência Internacional
Páginas: 488-491
13th Conference of the Sociedade-Portuguesa-de-Materiais/4th International Materials Symposium
Oporto, PORTUGAL, APR 01-04, 2007
Outras Informações
ID Authenticus: P-007-PKW
Abstract (EN): Successful solid state bonding of titanium aluminides requires the use of high temperature and pressure. In previous works, authors have demonstrated that the use of Ti/Al multilayer thin film as an interlayer, deposited by d.c. magnetron sputtering onto the joining surfaces, can effectively lower the bonding temperature. The enhanced diffusivity of these nanometric layers and the heat evolved by the formation of gamma-TiAl improves the joinability of titanium aluminide by solid-state diffusion bonding. In the present work, further improvement of the process was pursued by doping the interlayer with 2.8 at.% of Ag; previous studies have confirmed that silver favours the transformation Ti+Al ->gamma=TiAl. The solid-state diffusion bonding experiments were performed in vacuum by applying 50 MP a at 900 C for 1 h. The effect of the third element on the microstructure and chemical composition alone the bonding interface has been analyzed. Microstructural characterisation of the interface was performed by scanning and transmission electron microscopy. Chemical compositions were analysed by energy dispersive X-ray spectroscopy. No defects were observed at the interface and sound bonding was achieved between the interlayers and base gamma-TiAl. The bonding interface shows a fine-grained microstructure, slightly coarser than the one formed at the same temperature with the undoped Ti/Al multilayer.
Idioma: Inglês
Tipo (Avaliação Docente): Científica
Nº de páginas: 4
Documentos
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