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Publicações

In situ FT-IR study of the interfacial oxide in the anodic dissolution of silicon

Título
In situ FT-IR study of the interfacial oxide in the anodic dissolution of silicon
Tipo
Artigo em Revista Científica Internacional
Ano
1997
Autores
C. Fonseca
(Autor)
FEUP
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F.Ozanam
(Autor)
Outra
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J.N.Chazalviel
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Revista
Título: Mikrochimica ActaImportada do Authenticus Pesquisar Publicações da Revista
Páginas: 811-813
ISSN: 0026-3672
Editora: Springer Nature
Indexação
Publicação em ISI Web of Science ISI Web of Science
Classificação Científica
FOS: Ciências da engenharia e tecnologias > Outras ciências da engenharia e tecnologias
Outras Informações
Idioma: Português
Tipo (Avaliação Docente): Científica
Documentos
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