Resumo (PT):
Este artigo apresenta o trabalho que vem sendo efectuado, na área da protecção de transístores darlington bipolares de alta tensão, contra curto circuito e sobreintensidade da corrente de colector, no âmbito do projecto de uma fonte de alimentação não interruptivel de 20 kVA (CDI-FANI). O método de protecção em estudo utiliza a tensão de saturação colector-emissor (Vcessat) e a tensão base-emissor (Vbe) e actua em situações de defeito na carga e situações de curto-circuito.
Language:
Portuguese
Type (Professor's evaluation):
Scientific