Transístor Bipolar de Porta Isolada (IGBT) em Comutação. Controlo e Aplicações

• Tipo: Artigo em Livro de Atas de Conferência Nacional
• Data: 1991

Autores

Armando Araújo (Autor) FEUP

Ata de Conferência Nacional

Título: Actas do ENDIEL'91

ENDIEL'91 - Encontro Nacional para o Desenvolvimento das Indústrias Eléctricas e Electrónicas

Lisboa, Portugal, 01 - JUNHO - 1991

Outras Informações

Resumo (PT): O transistor bipolar de porta isolada, IGBT, é um dispositivo semicondutor de potência resultante do mais recente desenvolvimento tecnológico, que apresenta características que o aproximam do interruptor electrónico ideal- baixa queda directa de condução, alta densidade de corrente, baixo tempo de comutação e baixa potência de comando. As tensões e correntes comutáveis são da ordem dos 1200V 400A, com frequências de comutação superiores a 15 kHz. Esta comunicação apresenta a estrutura do IGBT, o seu funcionamento em comutação e, como consequência das suas características, os domínios de aplicação em sistemas de electrónica de potência.

Idioma: Português

Tipo (Avaliação Docente): Científica