Saltar para:
Logótipo
Comuta visibilidade da coluna esquerda
Você está em: Início > Publicações > Visualização > Competition between ferroelectric and semiconductor properties in Pb(Zr0.65Ti0.35)O-3 thin films deposited by sol-gel

Competition between ferroelectric and semiconductor properties in Pb(Zr0.65Ti0.35)O-3 thin films deposited by sol-gel

Título
Competition between ferroelectric and semiconductor properties in Pb(Zr0.65Ti0.35)O-3 thin films deposited by sol-gel
Tipo
Artigo em Revista Científica Internacional
Ano
2003
Autores
Boerasu, I
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Pintilie, L
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Sem AUTHENTICUS Sem ORCID
Pereira, M
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Ver página do Authenticus Sem ORCID
Vasilevskiy, MI
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Ver página do Authenticus Sem ORCID
Gomes, MJM
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. A pessoa não pertence à instituição. Ver página do Authenticus Sem ORCID
Revista
Vol. 93
Páginas: 4776-4783
ISSN: 0021-8979
Outras Informações
ID Authenticus: P-000-H26
Abstract (EN): Asymmetric metal-ferroelectric-metal (MFM) structures were manufactured by sol-gel deposition of a lead zirconate-titanate (PZT with Zr/Ti ratio 65/35) film on Pt-coated Si, with a Au top electrode. The average remnant polarization of 9 muC/cm2 and the coercive field of 39 kV/cm were obtained from the hysteresis loop measurements. A detailed analysis of the polarization-electric field (P-E), capacitance-voltage (C-V), and current-voltage (I-V) measurement results allowed us to estimate the near-electrode space-charge region thickness (roughly half of the film thickness at zero voltage), net doping concentration (around 10(18) cm(-3)), built-in potential (in the 0.4-0.8 V range, depending on the injecting electrode), and dynamic dielectric constant (5.2). The current logarithm-voltage dependence for the field-enhanced Schottky emission obeys a "1/4" law. The spectral distribution of the short circuit current measured under continuous light illumination in the 290-800 nm range exhibits a cutoff wavelength at 370 nm and a maximum sensitivity at about 340 nm. The estimated band-gap energy of the PZT material is 3.35 eV. The MFM structure is discussed in terms of two back-to-back Schottky diodes with a ferroelectric material in between. It is concluded that the semiconductor properties of the films are not negligible and, in certain conditions, are dominating over the ferroelectric ones. (C) 2003 American Institute of Physics.
Idioma: Inglês
Tipo (Avaliação Docente): Científica
Nº de páginas: 8
Documentos
Não foi encontrado nenhum documento associado à publicação.
Publicações Relacionadas

Da mesma revista

Preface: Advanced Nanomaterials (2016)
Outra Publicação em Revista Científica Internacional
Titus, E; Gil, JC; ventura, j.; araujo, j. p.
Unravelling the effect of interparticle interactions and surface spin canting in gamma-Fe2O3@ SiO2 superparamagnetic nanoparticles (2011)
Artigo em Revista Científica Internacional
Andre M Pereira; Clara Pereira; Ana S Silva; David S Schmool; Cristina Freire; Jean Marc Greneche; Joao P Araujo
Tunnel magnetoresistance and magnetic ordering in ion-beam sputtered Co80Fe20/Al2O3 discontinuous multilayers (2001)
Artigo em Revista Científica Internacional
G.N. Kakazei; pogorelov, y. g.; Lopes, AML; sousa, j. b.; Cardoso, S; Freitas, PP; de Azevedo, MMP; Snoeck, E
Tuning the properties of Ge-quantum dots superlattices in amorphous silica matrix through deposition conditions (2012)
Artigo em Revista Científica Internacional
Pinto, SRC; Buljan, M; Chahboun, A; Roldan, MA; Bernstorff, S; Varela, M; Pennycook, SJ; Barradas, NP; Alves, E; Molina, SI; Ramos, MMD; Gomes, MJM
Tricritical points in La-based ferromagnetic manganites (2003)
Artigo em Revista Científica Internacional
Amaral, V. S.; Araújo, João Pedro; Pogorelov, Yu G G; Sousa, João Bessa; Tavares, Pedro B.; Vieira, Joaquim Manuel; Algarabel, Pedro A.; Ibarra, Manuel Ricardo

Ver todas (85)

Recomendar Página Voltar ao Topo
Copyright 1996-2025 © Centro de Desporto da Universidade do Porto I Termos e Condições I Acessibilidade I Índice A-Z
Página gerada em: 2025-10-07 às 14:15:06 | Política de Privacidade | Política de Proteção de Dados Pessoais | Denúncias | Livro Amarelo Eletrónico