Gaped graphene bilayer: disorder and magnetic field effects

• Tipo: Artigo em Revista Científica Internacional
• Data: 2007

Autores

Eduardo V Castro (Autor) Outra; Peres, NMR (Autor) Outra; Lopes M B L dos Santos (Autor) FCUP

Revista

Título: Physica Status Solidi (B): Basic Research

Vol. 244

Páginas: 2311-2316

ISSN: 0370-1972

Editora: Wiley-Blackwell

Indexação

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Classificação Científica

FOS: Ciências exactas e naturais > Física

Outras Informações

ID Authenticus: P-004-97B

DOI: 10.1002/pssb.200674604

Abstract (EN): Double layer graphene is a gapless semiconductor which develops a finite gap when the layers are placed at different electrostatic potentials. We study, within the tight-biding approximation, the electronic properties of the gaped graphene bilayer in the presence of disorder and perpendicular magnetic field. We show that the gap is rather stable in the presence of diagonal disorder. We compute the cyclotron effective mass in the semi-classical approximation, valid at low magnetic fields. Landau level formation is clearly seen in zigzag and armchair ribbons of the gaped bilayer at intermediate magnetic fields. (c) 2007 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim.

Idioma: Inglês

Tipo (Avaliação Docente): Científica

Nº de páginas: 6