Controlo em Comutação de Transístores IGBT de Alta Potência

• Tipo: Artigo em Livro de Atas de Conferência Nacional
• Data: 1993

Autores

Armando Araújo (Autor) FEUP

Ata de Conferência Nacional

Título: Actas do ENDIEL 93

ENDIEL 93

Exponor, Porto, 21 - ABRIL - 1993

Outras Informações

Resumo (PT): Esta comunicação apresenta o desenvolvimento, a implementação e os resultados obtidos com um circuito de comando para IGBTs de alta potência. O circuito de comando foi desenvolvido tendo em particular atenção a protecção em curto-circuito da carga, a possibilidade de controlo dos tempos de comutação e a minimização do ruído electromagnético associado às comutações, requisitos apresentados por sistemas de conversão de potência DC/AC de média/elevada potência. A utilização de um isolamento electromagnético no circuito de comando permitiu o controlo do semicondutor de potência sem necessidade de uma fonte flutuante auxiliar. O isolamento é efectuado com transformadores de impulsos utilizando uma portadora de elevada frequência e aproveitando o efeito de memória do terminal de controlo do semicondutor. A comunicação termina com a apresentação do circuito obtido, conjuntamente com os resultados para IGBTs de elevada potência, num protótipo industrial que utiliza este comando.

Idioma: Português

Tipo (Avaliação Docente): Científica