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Tunneling magnetoresistance in epitaxial discontinuous Fe/MgO multilayers
Título
Tunneling magnetoresistance in epitaxial discontinuous Fe/MgO multilayers
Tipo
Artigo em Revista Científica Internacional
Ano
2011
Autores
Garcia Garcia, A
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição.
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Sem AUTHENTICUS
Sem ORCID
Pardo, JA
(Autor)
Outra
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Sem AUTHENTICUS
Sem ORCID
Strichovanec, P
(Autor)
Outra
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Sem ORCID
Magen, C
(Autor)
Outra
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Vovk, A
(Autor)
Outra
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De Teresa, JM
(Autor)
Outra
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G.N. Kakazei
(Autor)
REIT
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pogorelov, y. g.
(Autor)
FCUP
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Morellon, L
(Autor)
Outra
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Algarabel, PA
(Autor)
Outra
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Ibarra, MR
(Autor)
Outra
A pessoa não pertence à instituição.
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Revista
Indexação
Outras Informações
ID Authenticus:
P-002-T6W
DOI:
10.1063/1.3569149
Abstract (EN):
Epitaxial discontinuous Fe/MgO multilayers have been grown by pulsed laser deposition on MgO(001) single-crystal substrates. The multilayers with 0.6 nm nominal Fe layers thickness are superparamagnetic and demonstrate tunneling magnetoresistance (TMR) in the current-in-plane configuration. Increasing deposition temperature causes an improvement in crystal quality and is accompanied by higher TMR ratios. The maximum value (9.2% TMR at room temperature and 18 kOe magnetic field) trebles that of polycrystalline samples deposited simultaneously on glass substrates. A model formula for TMR ratio that includes both spin-dependent tunneling and spin-filtering effect is proposed to explain these results. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3569149]
Idioma:
Inglês
Tipo (Avaliação Docente):
Científica
Nº de páginas:
3
Documentos
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