Resumo (PT):
Esta comunicação apresenta o desenvolvimento, a implementação e os resultados obtidos com um circuito de comando para IGBTs de alta
potência. O circuito de comando foi desenvolvido tendo em particular atenção a protecção em curto-circuito da carga, a possibilidade de
controlo dos tempos de comutação e a minimização do ruído electromagnético associado às comutações, requisitos apresentados por sistemas
de conversão de potência DC/AC de média/elevada potência. A utilização de um isolamento electromagnético no circuito de comando permitiu
o controlo do semicondutor de potência sem necessidade de uma fonte flutuante auxiliar. O isolamento é efectuado com transformadores de
impulsos utilizando uma portadora de elevada frequência e aproveitando o efeito de memória do terminal de controlo do semicondutor. A
comunicação termina com a apresentação do circuito obtido, conjuntamente com os resultados para IGBTs de elevada potência, num protótipo
industrial que utiliza este comando.
Language:
Portuguese
Type (Professor's evaluation):
Scientific